SiC

SiCはシリコンカーバイド、日本語では「炭化ケイ素」と呼ばれ、シリコン (Si) と炭素 (C) の1:1 の化合物で、ダイヤモンドとシリコンの中間的な性質を持ち、電子素子の素材にもなる。Siで作られた半導体に比べると電気抵抗率が1/10と低く、200℃以上の高温で動作可能であり、数倍高速なスイッチング動作を可能にする。